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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W
Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -200V; -6,8A; Idm: -44A; 125W
N° du produit:
     8DJEB-NTE2373
Fabricant:
     NTE Electronics
N°. du fabricant:
     NTE2373
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
mosfet 200v
Fabricant: NTE Electronics
Montage: THT
Boîtier: TO220
Tension drain-source: -200V
Courant du drain: -6,8A
Résistance en état de conduction: 0,5Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -44A
Autres mots de recherche: transistors de puissance
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€ 7,63
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