Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolaire; 40V; 70A; Idm: 210A; 123W

Attention!
Produit disponible en vente uniquement en quantité disponible en stock. En cas de commande d’une quantité supérieurs, celle-ci sera modifiée en quantité disponible.

Fabricant: SHINDENGEN
Montage: SMD
Boîtier: LF (MO235B similar)
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 70A
Résistance en état de conduction: 4,5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Utilisation: industrie automobile
Puissance de dissipation: 123W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 49nC
La technologie: EETMOS4
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 210A