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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 300mA; Idm: 0,8A; 350mW


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PJC7476-R1
Fabricant:
     PanJit Semiconductor
N°. du fabricant:
     PJC7476_R1_00001
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Boîtier: SOT323
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 0,3A
Résistance en état de conduction: 9Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,35W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 1,8nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 0,8A
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