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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -3,2A; Idm: -20A; 2W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PJS6461-AU-S1
Fabricant:
     PanJit Semiconductor
N°. du fabricant:
     PJS6461-AU_S1_000A1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Boîtier: SOT23-6
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -3,2A
Résistance en état de conduction: 0,13Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Utilisation: industrie automobile
Puissance de dissipation: 2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 10nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -20A
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