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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -4A; Idm: -16A; 3,1W; SOT223


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PJW4P06A-R2
Fabricant:
     PanJit Semiconductor
N°. du fabricant:
     PJW4P06A_R2_00001
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Boîtier: SOT223
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -4A
Résistance en état de conduction: 0,13Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 3,1W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 10nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -16A
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par Pièce
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par Pièce
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€ 0,307*
€ 0,3684
par Pièce
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€ 0,252*
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par Pièce
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€ 0,199*
€ 0,2388
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à partir de 100000 Pièces
€ 0,169*
€ 0,2028
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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