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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolaire; -20V; -3,3A; Idm: -21A

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N° du produit:
8DJEB-PMN30XPX

Fabricant:
Nexperia

N°. du fabricant:
PMN30XPX

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Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Fabricant: NEXPERIA
Montage: SMD
Boîtier: SC74;SOT457;TSOP6
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -3,3A
Résistance en état de conduction: 0,13Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 0,55W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 23nC
La technologie: Trench
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -21A

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à partir de 10 Pièces	€ 0,369*	€ 0,4428	par Pièce
à partir de 50 Pièces	€ 0,244*	€ 0,2928	par Pièce
à partir de 100 Pièces	€ 0,211*	€ 0,2532	par Pièce
à partir de 500 Pièces	€ 0,149*	€ 0,1788	par Pièce
à partir de 1000 Pièces	€ 0,145*	€ 0,174	par Pièce
à partir de 100000 Pièces	€ 0,119*	€ 0,1428	par Pièce

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