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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolaire; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PSMN012-100YLX
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN012-100YLX
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: NEXPERIA
Montage: SMD
Boîtier: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 33,1mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 238W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 118nC
La technologie: Trench
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 339A
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