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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 27,5A; Idm: 156A; 250W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PSMN057-200B.118
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN057-200B,118
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: NEXPERIA
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK;SOT404
Tension drain-source: 200V
Courant du drain: 27,5A
Résistance en état de conduction: 0,165Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 250W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 135nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 156A
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