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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 100A; Idm: 962A; 306W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PSMN2R2-40BS.118
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN2R2-40BS,118
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: NEXPERIA
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK;SOT404
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 3,76mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 306W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 130nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 962A
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