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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-PSMN3R5-30YL.115
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN3R5-30YL,115
EAN/GTIN:
     Pas d'information
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Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
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Fabricant: NEXPERIA
Montage: SMD
Boîtier: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 3,37mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 74W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 19nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 447A
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