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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 100A; Idm: 539A; 306W
N° du produit:
     8DJEB-PSMN5R6-100PS.127
Fabricant:
     Nexperia
N°. du fabricant:
     PSMN5R6-100PS,127
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: NEXPERIA
Montage: THT
Boîtier: TO220AB;SOT78
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 100A
Résistance en état de conduction: 4,3mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 306W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 141nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 539A
Autres mots de recherche: Transistor, mosfet 100v, transistors de puissance
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