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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-RGW80TS65DGC11
Fabricant:
     ROHM Semiconductor
N°. du fabricant:
     RGW80TS65DGC11
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±30V
Courant du collecteur: 40A
Courant du collecteur d'impulsion: 160A
Temps de connection: 59ns
Temps d'extinction: 228ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 107W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 110nC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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