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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 37A; Idm: 82A; 234W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-S2M0080120J-SMC
Fabricant:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N°. du fabricant:
     S2M0080120J
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: SMC DIODE SOLUTIONS
Montage: SMD
Boîtier: TO263-7
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 37A
Résistance en état de conduction: 77mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 234W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 54nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -5...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 82A
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à partir de 20 Pièces
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€ 7,50
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à partir de 50 Pièces
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