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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 54A; Idm: 223A; 600W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-S3M0040120JATR-SMC
Fabricant:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N°. du fabricant:
     S3M0040120J-A
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: SMC DIODE SOLUTIONS
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK-7
Tension drain-source: 1,2kV
Courant du drain: 54A
Résistance en état de conduction: 50mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Utilisation: industrie automobile
Puissance de dissipation: 600W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: sortie Kelvin
Charge d'entrée: 143nC
La technologie: SiC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -4...18V
Courant du drain dans l'impulsion: 223A
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€ 5,18
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