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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 20V; 0,35A; 0,08W; SC89,SOT563


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI1012X-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI1012X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SC89;SOT563
Tension drain-source: 20V
Courant du drain: 0,35A
Résistance en état de conduction: 0,7Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 80mW
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Version: ESD
Charge d'entrée: 0,75nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±6V
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