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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -0,275A; 0,08W; SC75A; ESD


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI1013R-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI1013R-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SC75A
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -0,275A
Résistance en état de conduction: 2,7Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 80mW
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Version: ESD
Charge d'entrée: 1,5nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±6V
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