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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -2,2A; 1,8W; SOT23

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N° du produit:
8DJEB-SI2307CDS-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SI2307CDS-T1-GE3

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Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -2,2A
Résistance en état de conduction: 138mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,8W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 6,2nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V

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Prix: Entrepôt 8DJEB

Quantité	HT	TTC	Unité

1 Pièce	€ 0,584*	€ 0,7008	par Pièce
à partir de 15 Pièces	€ 0,495*	€ 0,594	par Pièce
à partir de 50 Pièces	€ 0,388*	€ 0,4656	par Pièce
à partir de 75 Pièces	€ 0,362*	€ 0,4344	par Pièce
à partir de 100 Pièces	€ 0,34*	€ 0,408	par Pièce
à partir de 500 Pièces	€ 0,31*	€ 0,372	par Pièce
à partir de 100000 Pièces	€ 0,26*	€ 0,312	par Pièce

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