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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 4,5A; Idm: 20A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI2316BDS-T1-E3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI2316BDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 4,5A
Résistance en état de conduction: 80mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 9,6nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 20A
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