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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -3,8A; Idm: -20A; 1,25W


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Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI2323DS-T1-E3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI2323DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
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Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -3,8A
Résistance en état de conduction: 68mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 19nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -20A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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