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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 6,7A; 5W; SO8


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     8DJEB-SI4178DY-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4178DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SO8
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 6,7A
Résistance en état de conduction: 33mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 12nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±25V
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
2500
Franco à domicile
à partir de € 0,201*
€ 0,231*
25 jours
rupture de stock
2500
Franco à domicile
à partir de € 0,233*
€ 0,263*
Entrepôt 8DJEB
1
€ 7,90*
à partir de € 0,231*
€ 0,575*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 0,575*
€ 0,69
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 0,438*
€ 0,5256
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 0,389*
€ 0,4668
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 0,284*
€ 0,3408
par Pièce
à partir de 1000 Pièces
€ 0,261*
€ 0,3132
par Pièce
à partir de 100000 Pièces
€ 0,231*
€ 0,2772
par Pièce
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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