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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -11,1A; 3W; SO8


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SI4463BDY-E3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SI4463BDY-E3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
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Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SO8
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -11,1A
Résistance en état de conduction: 20mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 3W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 56nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
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à partir de 200 Pièces
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€ 0,90
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à partir de 20000 Pièces
€ 0,64*
€ 0,77
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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