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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W

Quantité:

Pièces

Informations sur les produits

N° du produit:
8DJEB-SIA414DJ-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SIA414DJ-T1-GE3

EAN/GTIN:
Pas d'information

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 8V
Courant du drain: 12A
Résistance en état de conduction: 41mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 19W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 32nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±5V
Courant du drain dans l'impulsion: 40A

... > Transistors unipolaires > Transistors avec canal de type N > Transistors SMD à canal N

Autres mots de recherche: Transistors CMS, Transistor SMD, Transistors SMD, Transistors, Transistor, transistor cms

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