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Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; -20V


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIA811ADJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA811ADJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -4,5A
Résistance en état de conduction: 0,205Ω
Type de transistor: P-MOSFET + Schottky
Puissance de dissipation: 6,8W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 13nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -8A
Aperçu des conditions1
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Prix HT
à partir de € 788,67*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
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Quantité
HT
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Unité
1 Boîte
€ 874,89*
€ 1 049,868
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 867,60*
€ 1 041,12
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 835,95*
€ 1 003,14
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 817,89*
€ 981,468
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 788,67*
€ 946,404
par Boîte
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