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Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; -30V


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
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N° du produit:
     8DJEB-SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIA817EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -4,5A
Résistance en état de conduction: 0,125Ω
Type de transistor: P-MOSFET + Schottky
Puissance de dissipation: 6,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 23nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -15A
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
600
Franco à domicile
à partir de € 0,76*
€ 0,96*
Entrepôt 8DJEB
600
€ 7,90*
à partir de € 0,92*
€ 1,11*
2 jours
587
1
€ 14,99*
à partir de € 0,645*
€ 3,445*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
à partir de 600 Boîtes
€ 1,11*
€ 1,332
par Boîte
à partir de 30000 Boîtes
€ 0,92*
€ 1,104
par Boîte
1 Boîte contient 5 Pièces (à partir de € 0,184* par Pièce)
Commandes seulement avec des multiples de 600 Boîtes
Quantité de commande minimale: 600 Boîtes ( € 666,00* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
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