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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 30A; Idm: 60A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIAA40DJ-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIAA40DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 30A
Résistance en état de conduction: 16mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 19,2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 24nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 60A
Aperçu des conditions1
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à partir de 15000 Pièces
€ 0,47*
€ 0,56
par Pièce
à partir de 30000 Pièces
€ 0,46*
€ 0,55
par Pièce
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