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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIHB12N60E-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIHB12N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK;TO263
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 7,8A
Résistance en état de conduction: 0,38Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 147W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 58nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
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€ 2,21
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à partir de 50 Pièces
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à partir de 100 Pièces
€ 1,30*
€ 1,56
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à partir de 200 Pièces
€ 1,28*
€ 1,54
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à partir de 500 Pièces
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€ 1,42
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à partir de 20000 Pièces
€ 0,98*
€ 1,18
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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