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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIHB12N60ET1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIHB12N60ET1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK;TO263
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 7,8A
Résistance en état de conduction: 0,38Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 147W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 58nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 27A
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