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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 5,5A; Idm: 18A; 156W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIHB8N50D-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIHB8N50D-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: D2PAK;TO263
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 5,5A
Résistance en état de conduction: 0,85Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 156W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 30nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 18A
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