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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 45A; Idm: 80A


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIR108DP-T1-RE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIR108DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 45A
Résistance en état de conduction: 16mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 65,7W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 41,5nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 80A
Aperçu des conditions1
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Prix HT
à partir de € 2 758,74*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
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Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 2 914,74*
€ 3 497,688
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 2 889,99*
€ 3 467,988
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 2 815,53*
€ 3 378,636
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 2 778,15*
€ 3 333,78
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 2 758,74*
€ 3 310,488
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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