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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 38,7A; Idm: 80A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     8DJEB-SIR606BDP-T1-RE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIR606BDP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 38,7A
Résistance en état de conduction: 20,5mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 62,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 30nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 80A
Entrepôts (2)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
Entrepôt 8DJEB
3000
€ 7,90*
à partir de € 0,79*
€ 0,96*
2 jours
29228
1
€ 14,99*
à partir de € 0,551*
€ 2,03*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
à partir de 3000 Pièces
€ 0,96*
€ 1,15
par Pièce
à partir de 30000 Pièces
€ 0,79*
€ 0,95
par Pièce
Commandes seulement avec des multiples de 3 000 Pièces
Quantité de commande minimale: 3000 Pièces ( € 2 880,00* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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