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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; 30V


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIR770DP-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIR770DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 8A
Résistance en état de conduction: 25mΩ
Type de transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Puissance de dissipation: 17,8W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 21nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 35A
Aperçu des conditions1
Délai de livraison
État du stock
Prix HT
à partir de € 2 009,91*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
1 Boîte contient 3 000 Pièces (à partir de € 0,66997* par Pièce)
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Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 2 132,22*
€ 2 558,664
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 2 114,64*
€ 2 537,568
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 2 056,92*
€ 2 468,304
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 2 024,88*
€ 2 429,856
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 2 009,91*
€ 2 411,892
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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