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Transistor de puissance
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Produit
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; 30V
Quantité:
Boîte
Informations sur les produits
N° du produit:
8DJEB-SIR770DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
N°. du fabricant:
SIR770DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant:
VISHAY
Montage:
SMD
Boîtier:
PowerPAK® SO8
Tension drain-source:
30V
Courant du drain:
8A
Résistance en état de conduction:
25mΩ
Type de transistor:
N-MOSFET x2 + Schottky
Puissance de dissipation:
17,8W
Polarisation:
unipolaire
Genre de la emballage:
bande;rouleau
Charge d'entrée:
21nC
La technologie:
TrenchFET®
Genre de canal:
enrichi
Tension entrée-source:
±20V
Courant du drain dans l'impulsion:
35A
... >
Transistors
>
Transistors unipolaires
>
Transistors multicanaux
Autres mots de recherche:
Transistors CMS
,
Transistor SMD
,
Transistors SMD
,
Transistors
,
Transistor
,
transistor cms
Aperçu des conditions
1
Délai de livraison
État du stock
Prix HT
à partir de € 2 009,91*
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
1 Boîte contient 3 000 Pièces (à partir de € 0,66997* par Pièce)
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Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 2 132,22*
€ 2 558,664
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 2 114,64*
€ 2 537,568
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 2 056,92*
€ 2 468,304
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 2 024,88*
€ 2 429,856
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 2 009,91*
€ 2 411,892
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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