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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 60A; Idm: 150A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIRA52DP-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIRA52DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 40V
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 2,3mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 30,7W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 150nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -16...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 150A
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