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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 60A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     8DJEB-SIRC10DP-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIRC10DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
MOSFET de puissance
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® SO8
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 5,2mΩ
Type de transistor: N-MOSFET + Schottky
Puissance de dissipation: 27,5W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 36nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -16...20V
Courant du drain dans l'impulsion: 150A
Entrepôts (2)
État du stock
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
Entrepôt 8DJEB
€ 7,90*
à partir de € 0,47*
€ 0,96*
1 jour
3660
€ 14,99*
à partir de € 0,368*
€ 1,61*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Pièce
€ 0,96*
€ 1,15
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 0,87*
€ 1,04
par Pièce
à partir de 25 Pièces
€ 0,78*
€ 0,94
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 0,71*
€ 0,85
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 0,61*
€ 0,73
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 0,57*
€ 0,68
par Pièce
à partir de 1000 Pièces
€ 0,55*
€ 0,66
par Pièce
à partir de 100000 Pièces
€ 0,47*
€ 0,56
par Pièce
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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