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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 27A; Idm: 50A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIS892DN-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIS892DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diodes
Diode
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 27A
Résistance en état de conduction: 42mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 43W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 21,5nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 50A
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à partir de 20000 Pièces
€ 0,69*
€ 0,83
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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