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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -30V; -35A; Idm: -80A

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N° du produit:
8DJEB-SISH101DN-T1-GE3

Fabricant:
Vishay

N°. du fabricant:
SISH101DN-T1-GE3

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Pas d'information

Mots de recherche:

Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance

Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -35A
Résistance en état de conduction: 13mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 33W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 102nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±25V
Courant du drain dans l'impulsion: -80A

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à partir de € 0,266*

€ 1,21*

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Prix: Entrepôt 8DJEB

Quantité	HT	TTC	Unité

1 Pièce	€ 1,05*	€ 1,26	par Pièce
à partir de 10 Pièces	€ 0,75*	€ 0,90	par Pièce
à partir de 50 Pièces	€ 0,57*	€ 0,68	par Pièce
à partir de 100 Pièces	€ 0,50*	€ 0,60	par Pièce
à partir de 250 Pièces	€ 0,46*	€ 0,55	par Pièce
à partir de 500 Pièces	€ 0,42*	€ 0,50	par Pièce
à partir de 100000 Pièces	€ 0,35*	€ 0,42	par Pièce

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