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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -35A; Idm: -80A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N° du produit:
     8DJEB-SISH615ADN-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SISH615ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -35A
Résistance en état de conduction: 9,8mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 33W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 183nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
Courant du drain dans l'impulsion: -80A
Entrepôts (2)
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Prix dégressif
Prix unitaire
^
Entrepôt 8DJEB
1
€ 7,90*
à partir de € 0,308*
€ 0,896*
Entrepôt 7014
2 jours
4713
5
€ 14,99*
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€ 0,971*
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Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
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TTC
Unité
1 Pièce
€ 0,896*
€ 1,0752
par Pièce
à partir de 10 Pièces
€ 0,637*
€ 0,7644
par Pièce
à partir de 50 Pièces
€ 0,467*
€ 0,5604
par Pièce
à partir de 100 Pièces
€ 0,413*
€ 0,4956
par Pièce
à partir de 500 Pièces
€ 0,368*
€ 0,4416
par Pièce
à partir de 100000 Pièces
€ 0,308*
€ 0,3696
par Pièce
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
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Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
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Type
Image
Produit
Fabricant/N°.
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