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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 12V; 500mA; Idm: 1,5A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIUD412ED-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIUD412ED-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 12V
Courant du drain: 0,5A
Résistance en état de conduction: 2,5Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 1,25W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 0,71nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±5V
Courant du drain dans l'impulsion: 1,5A
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