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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; 30V


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SIZF906DT-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SIZF906DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Tension drain-source: 30V
Courant du drain: 60A
Résistance en état de conduction: 5,3/1,58mΩ
Type de transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Puissance de dissipation: 38/83W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 49/200nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Courant du drain dans l'impulsion: 80...100A
Aperçu des conditions1
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Prix HT
à partir de € 3 349,53*
  
Le prix est valable à partir de 500 Boîtes
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Prix dégressifs
Quantité
HT
TTC
Unité
1 Boîte
€ 3 509,94*
€ 4 211,928
par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 3 488,73*
€ 4 186,476
par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 3 398,85*
€ 4 078,62
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 3 355,11*
€ 4 026,132
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 3 349,53*
€ 4 019,436
par Boîte
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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