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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SPB17N80C3
Fabricant:
     Infineon
N°. du fabricant:
     SPB17N80C3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Diode à récupération rapide
Diode de récupération rapide
Diodes à récupération rapide
Diodes de récupération rapide
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Boîtier: PG-TO263-3
Tension drain-source: 800V
Courant du drain: 17A
Résistance en état de conduction: 0,29Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 227W
Polarisation: unipolaire
La technologie: CoolMOS™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
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à partir de 20 Pièces
€ 4,68*
€ 5,62
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à partir de 25 Pièces
€ 4,21*
€ 5,05
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à partir de 50 Pièces
€ 4,11*
€ 4,93
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à partir de 100 Pièces
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€ 4,68
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à partir de 5000 Pièces
€ 3,37*
€ 4,04
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