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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -1,8A; 2W; SOT23


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SQ2351ES-T1-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SQ2351ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: SOT23
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -1,8A
Résistance en état de conduction: 0,115Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 2W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 5,5nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±12V
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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