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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -30V; -7,5A; 4W


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SQ3481EV-T1-BE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SQ3481EV-T1_BE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: TSOP6
Tension drain-source: -30V
Courant du drain: -7,5A
Résistance en état de conduction: 70mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 4W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 23,5nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -30A
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