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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -3,9A; 1W; SOT23F; ESD


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SSM3J327R
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     SSM3J327R,LF(B
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: TOSHIBA
Montage: SMD
Boîtier: SOT23F
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -3,9A
Résistance en état de conduction: 0,24Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Version: ESD
Charge d'entrée: 4,6nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
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