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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SSM6J501NU
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     SSM6J501NU,LF
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: TOSHIBA
Montage: SMD
Boîtier: uDFN6
Tension drain-source: -20V
Courant du drain: -10A
Résistance en état de conduction: 43mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 1W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Version: ESD
Charge d'entrée: 29,9nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±8V
Courant du drain dans l'impulsion: -30A
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