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Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-STGW10M65DF2
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STGW10M65DF2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: STMicroelectronics
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 10A
Courant du collecteur d'impulsion: 40A
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 115W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 28nC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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