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Transistor: IGBT; 1,2kV; 8A; 167W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-STGWA8M120DF3
Fabricant:
     ST Microelectronics
N°. du fabricant:
     STGWA8M120DF3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: STMicroelectronics
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 8A
Courant du collecteur d'impulsion: 32A
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 167W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: integrated anti-parallel diode
Charge d'entrée: 32nC
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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