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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -19A; Idm: -30A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SUD19P06-60L-E3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SUD19P06-60L-E3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: DPAK;TO252
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -19A
Résistance en état de conduction: 0,129Ω
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 46W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 40nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: -30A
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