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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 50A; Idm: 120A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SUD70090E-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SUD70090E-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 50A
Résistance en état de conduction: 9,3mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 125W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 50nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 120A
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