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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 150A; Idm: 500A


Quantité:  Pièces  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-SUM70030E-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SUM70030E-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: TO263
Tension drain-source: 100V
Courant du drain: 150A
Résistance en état de conduction: 3,48mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 375W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 214nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 500A
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