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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 200V; 150A; Idm: 250A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Product Image
Product Image
N° du produit:
     8DJEB-SUM90100E-GE3
Fabricant:
     Vishay
N°. du fabricant:
     SUM90100E-GE3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: VISHAY
Montage: SMD
Boîtier: TO263
Tension drain-source: 200V
Courant du drain: 150A
Résistance en état de conduction: 12,9mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 375W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Charge d'entrée: 110nC
La technologie: TrenchFET®
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
Courant du drain dans l'impulsion: 250A
Entrepôts (3)
État du stock
Quantité min.
Expédition
Prix dégressif
Prix unitaire
^
800
Franco à domicile
à partir de € 1,704*
€ 2,054*
Entrepôt 8DJEB
800
€ 7,90*
à partir de € 2,48*
€ 2,97*
25 jours
rupture de stock
1
€ 14,99*
à partir de € 1,86*
€ 6,10*
Prix: Entrepôt 8DJEB
Quantité
HT
TTC
Unité
à partir de 800 Pièces
€ 2,97*
€ 3,56
par Pièce
à partir de 10000 Pièces
€ 2,48*
€ 2,98
par Pièce
Commandes seulement avec des multiples de 800 Pièces
Quantité de commande minimale: 800 Pièces ( € 2 376,00* hors TVA )
État du stock: Entrepôt 8DJEB
Expédition: Entrepôt 8DJEB
Montant de la commande
Expédition
à partir de € 0,00*
€ 7,90*
Droits de retour pour ce produit: Entrepôt 8DJEB
L'annulation, le remplacement et le retour de ce produit sont exclus.
Le délai de garantie légal stipulé dans les CGV conserve sa validité indépendamment des droits de retour indiqués.
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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