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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-TJ60S06M3L
Fabricant:
     Toshiba
N°. du fabricant:
     TJ60S06M3L(T6L1,NQ
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: TOSHIBA
Montage: SMD
Boîtier: DPAK
Tension drain-source: -60V
Courant du drain: -60A
Résistance en état de conduction: 14,5mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 100W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: bande;rouleau
Version: ESD
Charge d'entrée: 156nC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: -20...10V
Courant du drain dans l'impulsion: -120A
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